型号/品牌/封装
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价格(含税)
资料
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品类: MOS管描述: N沟道 30 V 65 W 8.5 nC 功率Mosfet 表面贴装 - TO-252AA76605-24￥4.063525-49￥3.762550-99￥3.5518100-499￥3.4615500-2499￥3.40132500-4999￥3.32615000-9999￥3.2960≥10000￥3.2508 -
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品类: MOS管描述: INFINEON IRLH5030TRPBF 场效应管, MOSFET, N通道706310-99￥9.6120100-499￥9.1314500-999￥8.81101000-1999￥8.79502000-4999￥8.73095000-7499￥8.65087500-9999￥8.5867≥10000￥8.5547 -
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品类: MOS管描述: 晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 55 V, 0.048 ohm, 10 V, 3 V69185-24￥2.146525-49￥1.987550-99￥1.8762100-499￥1.8285500-2499￥1.79672500-4999￥1.75705000-9999￥1.7411≥10000￥1.7172 -
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品类: MOS管描述: 场效应管, MOSFET83135-24￥4.198525-49￥3.887550-99￥3.6698100-499￥3.5765500-2499￥3.51432500-4999￥3.43665000-9999￥3.4055≥10000￥3.3588 -
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品类: MOS管描述:964520-49￥0.000050-99￥0.0000100-299￥0.0000300-499￥0.0000500-999￥0.00001000-4999￥0.00005000-9999￥0.0000≥10000￥0.0000 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R45635-24￥2.335525-49￥2.162550-99￥2.0414100-499￥1.9895500-2499￥1.95492500-4999￥1.91175000-9999￥1.8944≥10000￥1.8684 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 55V 5.2A 4Pin(3+Tab) SOT-223 T/R48945-24￥4.090525-49￥3.787550-99￥3.5754100-499￥3.4845500-2499￥3.42392500-4999￥3.34825000-9999￥3.3179≥10000￥3.2724 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 30V 32A 7Pin Direct-FET MT T/R86115-49￥15.397250-199￥14.7392200-499￥14.3707500-999￥14.27861000-2499￥14.18652500-4999￥14.08125000-7499￥14.0154≥7500￥13.9496 -
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品类: MOS管描述: Infineon OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET **Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能，以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括：直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。 增强型模式 雪崩等级 低切换和传导功率损耗 无铅引线电镀；符合 RoHS 标准 标准封装 OptiMOS™ P 通道系列：温度范围为 -55°C 至 +175°C ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能75481-9￥69.943010-99￥66.9020100-249￥66.3546250-499￥65.9289500-999￥65.25991000-2499￥64.95582500-4999￥64.5300≥5000￥64.1651 -
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品类: MOS管描述: Infineon OptiMOS™ T2 功率 MOSFET Infineon 新的 OptiMOS ™ -T2 具有一系列节能 MOSFET 晶体管，可减少 CO2 并采用电力驱动。 新的 OptiMOS™ -T2 产品系列扩展了现有的 OptiMOS™ -T 和 OptiMOS™ 系列。 OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 AEC 合格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色产品（符合 RoHS 标准） ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能79145-24￥6.048025-49￥5.600050-99￥5.2864100-499￥5.1520500-2499￥5.06242500-4999￥4.95045000-9999￥4.9056≥10000￥4.8384 -
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品类: MOS管描述: Infineon OptiMOS™ T2 功率 MOSFET Infineon 新的 OptiMOS ™ -T2 具有一系列节能 MOSFET 晶体管，可减少 CO2 并采用电力驱动。 新的 OptiMOS™ -T2 产品系列扩展了现有的 OptiMOS™ -T 和 OptiMOS™ 系列。 OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 AEC 合格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色产品（符合 RoHS 标准） ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能47495-24￥4.509025-49￥4.175050-99￥3.9412100-499￥3.8410500-2499￥3.77422500-4999￥3.69075000-9999￥3.6573≥10000￥3.6072 -
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品类: MOS管描述: RU1C002ZP 系列 20 V 200 mA 1.2 Ohm 硅 表面贴装 P-沟道 Mosfet - UMT-3F326120-49￥0.202550-99￥0.1875100-299￥0.1800300-499￥0.1740500-999￥0.16951000-4999￥0.16655000-9999￥0.1635≥10000￥0.1605 -
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品类: MOS管描述: P 沟道 STripFET™ 功率 MOSFET，STMicroelectronics STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics181910-99￥6.0960100-499￥5.7912500-999￥5.58801000-1999￥5.57782000-4999￥5.53725000-7499￥5.48647500-9999￥5.4458≥10000￥5.4254 -
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品类: MOS管描述: N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET，STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics31381-9￥42.931810-99￥40.4685100-249￥38.6386250-499￥38.3571500-999￥38.07561000-2499￥37.75892500-4999￥37.4774≥5000￥37.3014 -
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品类: MOS管描述: 二极管与整流器49405-24￥1.417525-49￥1.312550-99￥1.2390100-499￥1.2075500-2499￥1.18652500-4999￥1.16035000-9999￥1.1498≥10000￥1.1340 -
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品类: MOS管描述: 晶体管, MOSFET, P沟道, -1.5 A, -60 V, 0.2 ohm, -10 V, -3 V286620-49￥0.594050-99￥0.5500100-299￥0.5280300-499￥0.5104500-999￥0.49721000-4999￥0.48845000-9999￥0.4796≥10000￥0.4708 -
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品类: MOS管描述: QFET® N 通道 MOSFET，超过 31A，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。66325-49￥26.044250-199￥24.9312200-499￥24.3079500-999￥24.15211000-2499￥23.99632500-4999￥23.81825000-7499￥23.7069≥7500￥23.5956 -
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS8320LDC, 192 A, Vds=40 V, 8引脚 Power 56封装65085-49￥13.887950-199￥13.2944200-499￥12.9620500-999￥12.87901000-2499￥12.79592500-4999￥12.70095000-7499￥12.6416≥7500￥12.5822 -
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品类: MOS管描述: N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronics MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。 ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics71915-49￥18.064850-199￥17.2928200-499￥16.8605500-999￥16.75241000-2499￥16.64432500-4999￥16.52085000-7499￥16.4436≥7500￥16.3664 -
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品类: MOS管描述: N-沟道 60 V 3.8 mOhm 表面贴装 STripFET™ F7 功率 Mosfet - DPAK-3678010-99￥11.1720100-499￥10.6134500-999￥10.24101000-1999￥10.22242000-4999￥10.14795000-7499￥10.05487500-9999￥9.9803≥10000￥9.9431 -
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD770N15A, 11.4 A, Vds=150 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装11585-24￥3.753025-49￥3.475050-99￥3.2804100-499￥3.1970500-2499￥3.14142500-4999￥3.07195000-9999￥3.0441≥10000￥3.0024 -
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品类: MOS管描述: N 通道 STripFET™ DeepGate™，STMicroelectronics STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics83855-24￥4.293025-49￥3.975050-99￥3.7524100-499￥3.6570500-2499￥3.59342500-4999￥3.51395000-9999￥3.4821≥10000￥3.4344 -
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品类: MOS管描述: N 通道 STripFET™ V，STMicroelectronics STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics84935-24￥3.537025-49￥3.275050-99￥3.0916100-499￥3.0130500-2499￥2.96062500-4999￥2.89515000-9999￥2.8689≥10000￥2.8296 -
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品类: MOS管描述: N 通道 MDmesh™ M2 系列，STMicroelectronics MDmesh M2 系列功率 MOSFET 非常适合用于谐振型电源（LLC 转换器）。 其配置具有低栅极电荷，以及极佳的输出电容。 ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics86295-24￥4.293025-49￥3.975050-99￥3.7524100-499￥3.6570500-2499￥3.59342500-4999￥3.51395000-9999￥3.4821≥10000￥3.4344 -
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC8878, 9.6 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 33封装148910-99￥10.2240100-499￥9.7128500-999￥9.37201000-1999￥9.35502000-4999￥9.28685000-7499￥9.20167500-9999￥9.1334≥10000￥9.0994 -
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC2610, 2.2 A, Vds=200 V, 8引脚 MLP封装657210-99￥9.9120100-499￥9.4164500-999￥9.08601000-1999￥9.06952000-4999￥9.00345000-7499￥8.92087500-9999￥8.8547≥10000￥8.8217 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS8858CZ 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 8.6 A, 30 V, 17 mohm, 10 V, 1.6 V32715-24￥6.304525-49￥5.837550-99￥5.5106100-499￥5.3705500-2499￥5.27712500-4999￥5.16045000-9999￥5.1137≥10000￥5.0436 -
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NDS332P, 1 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装27015-24￥1.377025-49￥1.275050-99￥1.2036100-499￥1.1730500-2499￥1.15262500-4999￥1.12715000-9999￥1.1169≥10000￥1.1016 -
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品类: MOS管描述: INFINEON BSS126H6327XTSA2 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 21 mA, 600 V, 280 ohm, 10 V, -2 V130820-49￥0.607550-99￥0.5625100-299￥0.5400300-499￥0.5220500-999￥0.50851000-4999￥0.49955000-9999￥0.4905≥10000￥0.4815
